Batterienachbildung

 BNB 8651-40 - Batterienachbildung

 

  • BNB 8651-40

 

 

Eine Batterienachbildung (BNB) hat die Aufgabe, den Prüfling mit Betriebsstrom zu versorgen und eine genormte Ausgangsimpedanz zu gewährleisten. Sie wurde für Tests im Automobilbereich entwickelt. Es ist ein Widerstand eingebaut, der den internen Widerstand der Batterie nachbildet.

 

Eine Batterie kann durch verschiedene interne Widerstände nachgebildet werden. Zur Verfügung stehen vier mögliche Werte: 2 x 100 mΩ, 2 x 50 mΩ, 2 x 25 mΩ und 2 x 10 mΩ (je ein Widerstand in jedem Pfad).


 

Max. Spannung: 1000 VDC
Max. Dauerstrom:

40 A

Max. Strom kurzzeitig:
(1 min)

45 A / 200 mΩ ( 2x 100 mΩ)
45 A / 100 mΩ ( 2x 50 mΩ)
70 A / 50 mΩ ( 2x 25 mΩ)
70 A / 20 mΩ ( 2x 10 mΩ)

Nachbildungsimpedanz:

200 mΩ in serie mit 10 mF
100 mΩ in serie mit 10 mF
50 mΩ in serie mit 10 mF
20 mΩ in serie mit 10 mF

Eigeninduktivität: 0.2 µH
Anschlüsse: Schraubklemmen 7 mm
(für Hakenkabelschuhe, Flügelschraube
nicht abschraubbar)
mit 4 mm Buchse
Gewicht: 36 kg
Abmessungen B x H x T: 450 x 475 x 486 mm

pdficon small Datenblatt BNB 8651-40

 


 BNB 8652 - Batterienachbildung

 

  • BNB8652

 

 

Eine LISN, hier als Batterienachbildung, hat die Aufgabe, den Prüfling mit Betriebsstrom zu versorgen und eine genormte Ausgangsimpedanz zu gewährleisten. Sie wurde für Tests im Automotivebereich entwickelt, z.B. zur Erfüllung der Anforderungen aus der Werksnorm „MBN 11123“.

 

Eine Batterie kann durch verschiedene interne Widerstände nachgebildet werden. Zur Verfügung stehen drei mögliche Werte: 2 x 100 mΩ, 2 x 50 mΩ, 2 x 25 mΩ (je ein Widerstand in jedem Pfad).


 

Max. Spannung: 1000 VDC
Max. DC Strom:

100 A / 2x 100 mΩ
120 A / 2x 50 mΩ
200 A / 2x 25 mΩ

Nachbildungsimpedanz:

2x 100 mΩ in serie mit 10 mF
2x 50 mΩ in serie mit 10 mF
2x 25 mΩ in serie mit 10 mF

Eigeninduktivität: 0.5 µH
Inductivität der LISN: 2x 1 µH
Frequenzbereich der Einkoppeltransformatoren: 10 Hz ... 150 kHz
Max. Betriebsstrom der Einkoppeltransformatoren: 80 A
Max. Eingangsstrom für Transformatoreneingang: 30 A AC
Gewicht: 80 kg
Abmessungen B x H x T: 670 x 420 x 660 mm

pdficon small Datenblatt BNB 8652

 


 BNB 8653 - Batterienachbildung

 

  • BNB 8653 - Battery Simulator

 

 

Die Batterienachbildung BNB 8653 hat die Aufgabe, dem Prüfling (Fahrzeugkomponenten) mit Strom zu versorgen und eine definierte Ausgangsimpedanz zu gewährleisten. Sie wurde für Tests im Automotivebereich entwickelt.

Die BNB 8653 ist symmetrisch aufgebaut und enthält zwei Pfade mit variablen Leistungswiderständen Rint, die mit „HV+“ und „HV-“ gekennzeichnet sind. Eine Batterie kann durch verschiedene interne Widerstände nachgebildet werden. Für Rint stehen vier mögliche Werte zu Verfügung: 2 x 100 mΩ, 2 x 50 mΩ, 2 x 25 mΩ und 2 x 10 mΩ (je ein Widerstand in jedem Pfad). Die eingebauten Komponenten haben keine vorgeschriebene Polarität. Die Pfade sind vom Gehäuse isoliert.

 

Max. Spannung: 1000 VDC
Max. DC-Strom:

300 A / 2 x x100 mΩ
300 A / 2 x 50 mΩ
600 A / 2 x 25 mΩ
850 A / 2 x 10 mΩ

Nachbildungsimpedanz: 2 x Rint in serie mit 1 µH
(Rint=100/50/25/10 mΩ)
Eigeninduktivität: 0.5 µH
Induktivität der LISN: 2 x 1 µH
Gewicht: 63 kg
Abmessungen B x H x T: 446 x 535 x 770 mm
Normen: MBN 11123, ISO 21498-2

pdficon small Datenblatt BNB 8653

 


 BNB 8654 - Batterienachbildung

 

  • BNB 8654

 

 

Eine LISN, hier als Batterienachbildung hat die Aufgabe, den Prüfling mit Betriebsstrom zu versorgen und eine genormte Ausgangsimpedanz zu gewährleisten. Sie wurde für Tests im Automotivbereich entwickelt, z.B. zur Erfüllung der Anforderungen aus dem Lastenheft „MBN 11123“.

Die BNB 8654 ist symmetrisch aufgebaut und enthält zwei Pfade mit variablen Leistungswiderständen Rint, die mit „HV+“ und „HV-“ gekennzeichnet sind. Eine Batterie kann durch verschiedene interne Widerstände nachgebildet werden. Für Rint stehen drei mögliche Werte zu Verfügung: 2 x 50 mΩ, 2 x 25 mΩ und 2 x 10 mΩ (je ein Widerstand in jedem Pfad). Die eingebauten Komponenten haben keine vorgeschriebene Polarität. Die Pfade sind vom Gehäuse isoliert.

 

Max. Spannung: 1000 VDC
Max. DC-Strom:

500 A

Max. Strom kurzzeitig:

550 A / 2 x 50 mΩ
1100 A / 2 x 25 mΩ
1600 A / 2 x 10 mΩ

Nachbildungsimpedanz: 2 x Rint in serie mit 1 µH
(Rint=50/25/10 mΩ)
Eigeninduktivität: 0.2 µH
Induktivität der LISN: 2 x 1 µH
Gewicht: 71 kg
Abmessungen B x H x T: 446 x 535 x 770 mm
Normen: MBN 11123, ISO 21498-2

pdficon small Datenblatt BNB 8654

 


 BNB 8655 - Batterienachbildung

 

  • BNB 8655 - Battery Simulator

 

 

Die Batterienachbildung BNB 8655 hat die Aufgabe, dem Prüfling (Fahrzeugkomponenten) mit Strom zu versorgen und eine definierte Ausgangsimpedanz zu gewährleisten. Sie wurde für Tests im Automotivebereich entwickelt.

Die Batterienachbildung BNB 8655 ist symmetrisch aufgebaut und enthält zwei Pfade mit variablen Leistungswiderständen Rint, die mit „HV+“ und „HV-“ gekennzeichnet sind. Eine Batterie kann durch verschiedene interne Widerstände nachgebildet werden. Für Rint stehen drei mögliche Werte zu Verfügung: 2 x 100 mΩ, 2 x 50 mΩ und 2 x 25 mΩ (je ein Widerstand in jedem Pfad). Die eingebauten Komponenten haben keine vorgeschriebene Polarität. Die Pfade sind vom Gehäuse isoliert.

 

Max. Spannung: 1000 VDC
Max. DC-Strom:

800 A

Nachbildungsimpedanz: 2 x Rint in serie mit 1 µH
(Rint=100/50/25 mΩ)
Eigeninduktivität: 0.5 µH
Induktivität der LISN: 2 x 1 µH
Gewicht: 123 kg
Abmessungen B x H x T: 710 x 570 x 900 mm
Normen: MBN 11123, ISO 21498-2

pdficon small Datenblatt BNB 8655

 


 BNB 8656 - Batterienachbildung

 

  • BNB 8656

 

 

Die Batterienachbildung BNB 8656 hat die Aufgabe, dem Prüfling (Fahrzeugkomponenten) mit Strom zu versorgen und eine definierte Ausgangsimpedanz zu gewährleisten. Sie wurde für Tests im Automotivebereich entwickelt.

Die Batterienachbildung BNB 8656 ist symmetrisch aufgebaut und enthält zwei Pfade mit variablen Leistungswiderständen Rint, die mit „HV+“ und „HV-“ gekennzeichnet sind. Eine Batterie kann durch verschiedene interne Widerstände nachgebildet werden. Für Rint stehen drei mögliche Werte zu Verfügung: 2 x 100 mΩ, 2 x 60 mΩ, 2 x 50 mΩ, 2 x 25 mΩ  und 2 x 10 mΩ (je ein Widerstand in jedem Pfad). Die eingebauten Komponenten haben keine vorgeschriebene Polarität. Die Pfade sind vom Gehäuse isoliert.

 

Max. Spannung: 1000 VDC
Max. DC-Strom:

800 A

Max. Strom kurzzeitig:

900 A / 2x 100 mΩ
900 A / 2x 60 mΩ
900 A / 2x 50 mΩ
1600 A / 2x 25 mΩ
900 A / 2x 10 mΩ

Nachbildungsimpedanz: 2 x Rint in serie mit 1 µH
(Rint=100/60/50/25/10 mΩ)
Eigeninduktivität: typ. 0.5 µH
Induktivität der LISN: 2 x 1 µH
Gewicht: 117 kg
Abmessungen B x H x T: 446 x 535 x 770 mm
Normen: ISO 21498-2:2021-03
MBN 11123:2021-08 
BMW 95024-2-2:2011-02
PSA B21 7112:2021-05
VW 80300:2021-02

pdficon small Datenblatt BNB 8656